[发明专利]离子生成装置及离子生成装置的控制方法有效
申请号: | 201610894385.X | 申请日: | 2016-10-13 |
公开(公告)号: | CN107039227B | 公开(公告)日: | 2020-03-03 |
发明(设计)人: | 川口宏 | 申请(专利权)人: | 住友重机械离子技术有限公司 |
主分类号: | H01J37/08 | 分类号: | H01J37/08;H01J37/317 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐冰冰;刘杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种离子生成装置及离子生成装置的控制方法,其有助于提高离子照射装置的生产率。本发明的离子生成装置具备:离子源控制部(102),构成为按照现离子源条件及现离子源条件之后运用的新离子源条件来控制气体供给部(70)及等离子体激发源(72);保持时间获取部(104),获取现离子源条件的保持时间;及预处理条件设定部(106),构成为根据现离子源条件、保持时间、及新离子源条件来设定确定预处理的预处理条件,所述预处理用于在等离子体室内壁形成适合于新离子源条件的表层区域。离子源控制部(102)构成为,从现离子源条件变更为新离子源条件时,通过预处理条件控制气体供给部(70)及等离子体激发源(72)。 | ||
搜索关键词: | 离子 生成 装置 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种离子生成装置,其特征在于,具备:等离子体室,具有暴露于等离子体的等离子体室内壁;气体供给部,构成为向所述等离子体室供给原料气体;等离子体激发源,构成为将供给到所述等离子体室的所述原料气体激发为等离子体状态;离子源控制部,构成为按照现离子源条件及该现离子源条件之后运用的新离子源条件,来控制所述气体供给部及所述等离子体激发源;保持时间获取部,获取所述现离子源条件的保持时间;及预处理条件设定部,构成为根据所述现离子源条件、所述保持时间、及所述新离子源条件来设定确定预处理的预处理条件,所述预处理用于在所述等离子体室内壁形成适合于所述新离子源条件的表层区域,所述离子源控制部构成为,从所述现离子源条件变更为所述新离子源条件时,按照所述预处理条件控制所述气体供给部及所述等离子体激发源。
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