[发明专利]氧化物薄膜晶体管及制备方法、显示装置及照相装置在审
| 申请号： | 201610894740.3 | 申请日： | 2016-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN106298958A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 刘川;李恭檀;杨柏儒;陈昌东;陶紫滢 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/10;H01L27/32;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司44281 | 代理人： | 彭家恩,彭愿洁 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种氧化物薄膜晶体管及制备方法、显示装置及照相装置，所述氧化物薄膜晶体管包括沟道层，其中所述沟道层包括至少两层氧化物薄膜沟道层；而且，所述氧化物薄膜沟道层均掺杂有N、P和As元素中的一种或多种。通过设置至少两层掺杂有N、P和As元素中的一种或多种的氧化物薄膜沟道层，由于上述元素掺杂能够有效的减弱氧气的吸附，从而防止氧化物薄膜晶体管的阈值电压漂移，有效提升氧化物薄膜晶体管的可靠性；而且，该结构的沟道层设计，还能够进一步提高氧化物薄膜晶体管的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 制备 方法 显示装置 照相 装置 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括沟道层，其中：所述沟道层包括至少两层氧化物薄膜沟道层；所述氧化物薄膜沟道层均掺杂有N、P和As元素中的一种或多种。
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