[发明专利]半导体器件的制备方法

摘要

本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，在刻蚀所述第一晶圆衬底背离所述第一晶圆介质层的一侧的步骤中，去除部分所述第一晶圆衬底，形成第一开口，由于所述第一晶圆衬底与所述刻蚀牺牲结构的刻蚀选择比小于所述第一晶圆衬底与所述第一晶圆介质层的刻蚀选择比，被所述第一开口暴露出的所述刻蚀牺牲结构会继续被刻蚀掉，在所述第一开口的底部形成第二开口，所述第二开口暴露出所述引线金属结构。所述第二开口的形成是通过控制所述刻蚀牺牲结构与所述第一晶圆衬底的刻蚀选择，自适应去除所述刻蚀牺牲结构形成的，无需制备额外的掩模图案，从而可以减少光罩，降低制备成本。

主权项

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一第一晶圆，所述第一晶圆包括层叠的第一晶圆衬底和第一晶圆介质层，所述第一晶圆介质层中设置有引线金属结构以及刻蚀牺牲结构，所述刻蚀牺牲结构位于所述第一晶圆介质层面向所述第一晶圆衬底一侧的表面，所述引线金属结构和刻蚀牺牲结构在同一水平面上的垂直投影互至少部分重叠；刻蚀所述第一晶圆衬底背离所述第一晶圆介质层的一侧，所述第一晶圆衬底与所述刻蚀牺牲结构的刻蚀选择比小于所述第一晶圆衬底与所述第一晶圆介质层的刻蚀选择比，去除部分所述第一晶圆衬底，形成第一开口，并去除至少所述第一晶圆介质层中的刻蚀牺牲结构，在所述第一开口的底部形成第二开口，所述第二开口暴露出所述引线金属结构；在所述第一开口和第二开口内沉积一金属层；以及选择性刻蚀所述金属层，以形成一个与所述引线金属结构电性连接的金属衬垫。