[发明专利]一种半导体芯片表面沾污的处理方法

摘要

本发明涉及一种半导体芯片表面沾污处理方法，包括下述步骤：将沾污芯片集中挑出，并按阵列排列；取一片外形完整的陪片，进行“井”字形分割处理；将分割后陪片中间区域剔除，把按阵列排列的沾污芯片依次填入其中；使用一种具有强黏附性的保护膜，对沾污芯片和陪片进行黏贴处理；将黏贴处理完毕的陪片放入烘箱烘烤；将烘烤完毕的圆片放置于自动刷洗设备上进行刷洗；将处理完毕的芯片进行镜检，挑出处理合格芯片；通过该方法，可以对芯片表面沾污进行处理，大大地改善了原先处理效果不理想的状态，极大地提高芯片表面镜检成品率，节约了成本。

主权项

1.一种半导体芯片表面沾污的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一. 将需要进行处理的沾污圆片集中挑出，并进行划片，形成若干个按阵列排列芯片（1）；步骤二. 取一片外形完整的陪片（2），对其进行井字形分割处理；步骤三. 将分割后陪片（2）的中心区域剔除，把步骤一按阵列排列的沾污芯片（1）依次填入陪片（2）的中心区域，形成一完整圆片；步骤四. 在步骤三形成的完整圆片的未沾污面上黏贴一种具有强黏附性的保护膜，所述保护膜的厚度为150μm ~200μm；步骤五. 将步骤四中黏贴保护膜的圆片放入烘箱中烘烤；步骤六. 将步骤五中烘烤完毕的圆片取出，放置于自动刷洗设备上，对圆片的沾污面进行刷洗；步骤七. 将刷洗完毕的芯片（1）进行镜检，挑出没有沾污的合格芯片;所述陪片（2）分割后的中心区域的X方向长度为A，Y方向长度为B，按阵列排列的沾污芯片（1）的X方向长度为a，Y方向长度为b；其中A≥a；B≥b;步骤五中烘箱的烘烤温度为60℃~ 90℃，烘烤的时间为15~30min。