[发明专利]一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201610896191.3 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN106384751A | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 王经纬;高达;王丛;刘铭;强宇;周立庆 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/18 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心11010 | 代理人： | 张然 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。本发明的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，包括硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层，所述碲镉汞短波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.4～0.41；所述碲镉汞阻挡层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.5～0.55；所述碲镉汞中波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.3～0.31。借助于本发明的技术方案，得到了一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，填补了现有技术中没有硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的空白。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基短 中波 叠层双色碲镉汞 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，其特征在于，包括：硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层；所述碲镉汞短波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.4～0.41；所述碲镉汞阻挡层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.5～0.55；所述碲镉汞中波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.3～0.31。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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