[发明专利]一种自平衡的太赫兹肖特基势垒二极管有效
| 申请号： | 201610896409.5 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN106653868B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 张勇;任田昊;吴成凯;黎雨坤;靳赛赛 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 51203 电子科技大学专利中心 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于太赫兹波器件技术领域，具体涉及一种具有自平衡功能的太赫兹肖特基势垒二极管；包括从下往上依次层叠的GaAs的半绝缘衬底层、重掺n++GaAs层、轻掺n‑GaAs层和SiO2层，SiO2层上金属阳极与阴极，金属阳极与n‑GaAs层形成肖特基接触，金属阴极与n++GaAs形成欧姆接触；所述二极管包含两个肖特基结，且输入端到两个肖特基结的相位相差180°。本发明的自平衡太赫兹肖特基势垒二极管能够在管子内部实现平衡式的结构，相比于传统的外部平衡式二极管，本发明的二极管特别适合应用于太赫兹频段的高端；且该二极管结构简单、使用方便、便于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平衡 赫兹 肖特基势垒二极管 | ||
【主权项】：
1.一种自平衡的太赫兹肖特基势垒二极管，包括从下往上依次层叠的GaAs的半绝缘衬底层、重掺n++GaAs层、轻掺n-GaAs层和SiO2层，SiO2层上金属阳极与阴极，金属阳极与n-GaAs层形成肖特基接触，金属阴极与n++GaAs形成欧姆接触；其特征在于，所述二极管包含两个肖特基结，且输入端到两个肖特基结的相位相差180°；所述自平衡的太赫兹肖特基势垒二极管采用圆环电桥；通过调整圆环的半径，使其周长为当前工作频率对应波长的两倍，圆环的一圈为360°，从输入端到肖特基结1的角度为45°，到肖特基结2的角度为45°+180°。/n
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