[发明专利]一种制备钨酸铜光阳极薄膜方法

摘要

本发明涉及一种制备钨酸铜光阳极薄膜的方法，包括如下步骤1)首先配制含有铜、锡元素的有机溶液，分别为三水合硝酸铜溶于乙二醇甲醚，浓度为0.04‑0.08mol/L；二水合氯化亚锡溶于乙二醇甲醚，浓度为0.04‑0.08mol/L；2)分别取(5‑X)ml和Xml的步骤1)中配置的铜与锡溶液，混合至均匀；3)再加入等摩尔量的偏钨酸铵，再加入0.1‑0.7ml的浓硝酸以及10‑100mg硝酸铵，搅拌溶液至澄清，即得前驱体溶液；4)利用移液器移取一定量的步骤3)中制备好的前驱体溶液，滴加在氟掺杂的氧化锡导电衬底上，在70℃的加热板上加热20min，去除有机溶剂；5)将步骤4)中覆有薄膜前驱体的氟掺杂氧化锡导电衬底置于550±50℃的马弗炉中煅烧1‑4h，取出自然冷却至室温，即得相应的锡元素掺杂的钨酸铜薄膜。

主权项

制备钨酸铜光阳极薄膜的方法，其特征是包括如下步骤：1)首先配制含有铜、锡元素的有机溶液，分别为三水合硝酸铜溶于乙二醇甲醚，浓度为0.04‑0.08mol/L；二水合氯化亚锡溶于乙二醇甲醚，浓度为0.04‑0.08 mol/L;2)分别取（5‑X）ml和Xml的步骤1）中配置的铜与锡溶液，混合至均匀; X取0.1‑0.5；3)再加入等摩尔量的偏钨酸铵，再加入0.1‑0.7 ml的浓硝酸以及10‑100 mg硝酸铵，搅拌溶液至澄清，即得前驱体溶液；4)利用移液器移取一定量的步骤3）中制备好的前驱体溶液，滴加在氟掺杂的氧化锡导电衬底上，在70 ℃的加热板上加热20 min，去除有机溶剂；5)将步骤4）中覆有薄膜前驱体的氟掺杂氧化锡导电衬底置于550±50℃的马弗炉中煅烧1‑4h，取出自然冷却至室温，即得相应的锡元素掺杂的钨酸铜薄膜。