[发明专利]一种提高薄膜太阳能电池背电极和吸收层附着力的方法有效
| 申请号： | 201610897536.7 | 申请日： | 2016-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN106298989B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 徐根保;彭春超;刘小雨;王宝玉 | 申请（专利权）人： | 凯盛光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高薄膜太阳能电池背电极和吸收层附着力的方法，其特征在于它包括以下步骤：利用真空方法制备一层铌金属薄膜，然后在上面制备铜铟镓硒、碲化镉吸收层薄膜。本发明所提供的提高附着力的方法，解决了吸收层和背电极之间附着力差的问题，提高了铜铟镓硒、碲化镉电池的光电转换效率及组件的可靠性，且该方法还具有实施简单易行，对设备要求不苛刻，适合连续化生产等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 薄膜 太阳能电池 电极 吸收 附着力 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高薄膜太阳能电池背电极和吸收层附着力的方法，其特征在于具体包含如下步骤：（1）在包含衬底的背电极上采用真空方法制备一层铌(Nb)金属薄膜，所述的真空方法包括溅射或蒸发方法；（2）在所述的铌(Nb)金属薄膜上面制备铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）吸收层薄膜；（3）在步骤（2）制备铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）吸收层薄膜上面进行各种后续步骤制备成铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdT）电池，或组件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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