[发明专利]一种染料敏化铜铟镓硒叠层发电玻璃及其制备方法在审
申请号: | 201610897541.8 | 申请日: | 2016-10-15 |
公开(公告)号: | CN106252434A | 公开(公告)日: | 2016-12-21 |
发明(设计)人: | 彭寿;徐根保;何早阳;刘小雨;王宝玉;蒋卓睿 | 申请(专利权)人: | 凯盛光伏材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/18;H01G9/20;H01G9/28 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所34113 | 代理人: | 杨晋弘 |
地址: | 233010 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开一种染料敏化铜铟镓硒叠层发电玻璃及其制备方法,包括正电极与负电极,正电极包含正电极基底,正电极基底上依次设有Mo金属层、CIGS背光吸收层、缓冲层、窗口层、中间电极层与催化层;负电极包含负电极基底,负电极基底上依次设有致密层、传输层、前光吸收层与电解质层;正电极与负电极分别制备,再通过胶体相粘合;光吸收利用率高,输出电压及光电转换效率高;一方面优化前电池层,充分吸收可见光的同时提高光透过率,保证底层发电玻璃光通量;另一方面调节底电池层,实现对发电玻璃的最佳匹配,极大的提高发电玻璃的光电转换效率,并且提高发电玻璃的寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 染料 敏化铜铟镓硒叠层 发电 玻璃 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种染料敏化铜铟镓硒叠层发电玻璃,其特征在于,包括正电极与负电极,所述正电极包含正电极基底,正电极基底上依次设有Mo金属层、CIGS背光吸收层、缓冲层、窗口层、中间电极层与催化层;所述负电极包含负电极基底,负电极基底上依次设有致密层、传输层、前光吸收层与电解质层;Mo金属层表面四周边缘与负电极基底导电面四周边缘分别设有相对应的粘接区,正电极与负电极通过设在粘接区的胶体相粘合;Mo金属层、负电极基底与胶体之间形成封闭空腔,催化层与电解质层形成配合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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