[发明专利]离子植入系统和工艺

摘要

公开了离子植入系统和工艺。示范性的离子植入系统可以包括离子源、提取操纵器、磁分析仪以及电极组件。提取操纵器可以构造为通过从离子源提取离子而生成离子束。所生成的离子束的截面具有长维度以及与离子束的长维度正交的短维度。磁分析仪可构造为沿着平行于离子束的短维度的x方向聚焦离子束。电极组件可构造为加速或减速离子束。电极组件的一个或多个入口电极可限定第一开口，电极组件可相对于磁分析仪定位而使得随着离子束通过第一开口进入而使得离子束沿x方向收敛。

主权项

1.利用离子植入系统将离子植入工件的方法，所述离子植入系统包括离子源、提取操纵器、磁分析仪和电极组件，所述方法包括：利用所述提取操纵器从所述离子源提取离子来生成离子束，其中所述离子束的截面具有长维度以及与所述离子束的长维度正交的短维度；引导所述离子束通过所述磁分析仪，所述磁分析仪被配置为沿着与所述离子束的短维度平行的x方向聚焦离子束；加速或减速所述离子束通过所述电极组件，其中所述电极组件的一个或多个入口电极限定了第一开口，其中所述电极组件相对于所述磁分析仪定位，使得随着所述离子束通过所述第一开口进入而使得所述离子束沿所述x方向收敛，并且其中所述离子束沿所述电极组件内定位的x方向在所述x方向上收敛至最小宽度；以及将所述工件定位在所述离子束中以将离子植入所述工件中。