[发明专利]小分子石蜡转移石墨烯的方法

摘要

本发明涉及一种小分子转移石墨烯的方法；用CVD法制备铜箔上生长的石墨烯膜后将其一面用氧等离子体刻蚀掉使得铜箔上剩单面的石墨烯膜，将熔融加热后的石蜡以一定转速旋涂到上述石墨烯膜上，待冷却至室温后用腐蚀液腐蚀掉铜箔，将上述石蜡/石墨烯膜用清水浸润多次后转移到目标基底上，晾干若干小时待石墨烯与基底贴紧后用退火炉退火去除石蜡，得到转移到目标基底的石墨烯膜。所获得的石墨烯膜与用高分子转移的石墨烯膜相比，表面更干净即支持膜去除得更彻底，且保留了石墨烯膜的连续性和优良的导电性。此方法可将石墨烯大规模干净地转移到任意基底。

主权项

1.一种小分子石蜡转移石墨烯的方法，其特征是步骤如下：1)以铜箔为基底生长单层石墨烯薄膜；其中甲烷为碳源，氢气为还原性气体，氩气为载气及冷却气体；使用铜箔作为基底及催化剂，生长的石墨烯薄膜材料将附着在铜箔表面；2)将上述石墨烯薄膜材料的一面在氧等离子体中刻蚀10‑30min，另一面待被转移；3)将固体石蜡加热成液态，将液态石蜡旋涂到有石墨烯的铜片上，形成石蜡/石墨烯/铜片三明治状复合层，将上述复合层冷却至室温，然后用腐蚀液将铜片腐蚀掉，得到石蜡/石墨烯膜，将其用去离子水多次清洗后转移到目标基底上；得到石蜡/石墨烯膜/基底复合层；4)将复合层通过退火处理去除石蜡层，冷却至室温。