[发明专利]半导体芯片的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体芯片的制造方法，包括在复合衬底上生长有结构的半导体薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻，定义出图形后刻蚀，刻蚀到腐蚀层，去掉光刻胶，清洗，依次形成反射欧姆接触层、阻挡保护层，键合层，得到结构II；将结构II的键合层通过邦定压焊、电镀、或者两者混合的方式转移到导电衬底的粘结层上，得到结构III；将结构III放入腐蚀液中腐蚀掉腐蚀层，得到结构V；将结构V进行粗化，去边、钝化，得到钝化层，去掉要做电极地方的钝化层，做上N电极，得到成品。本发明降低了与外延衬底的晶格及热应力失配大的半导体薄膜在其上生长难度，简化芯片制造过程,降低芯片制造成本。

主权项

一种半导体芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)、在复合衬底上生长有器件结构的半导体薄膜，得到结构I；所述复合衬底包括衬底、在衬底上生长的腐蚀层以及在腐蚀层上生长的保护层；(2)、将半导体薄膜进行光刻，定义出芯片图形后刻蚀，刻蚀到腐蚀层，然后去掉光刻胶，清洗，依次形成反射欧姆接触层、反射欧姆接触层的阻挡保护层、键合金属层，得到结构II；(3)、将结构II的阻挡保护层通过邦定压焊、电镀、或者两者混合的方式转移到导电基板的粘结层上，得到结构III；所述导电基板从下到上依次包括：接触层、导电硅片或金属片的导热导电片、阻挡层、粘结层；(4)、将结构III放入腐蚀液中腐蚀掉腐蚀层，得到结构V；(5)、将结构V进行粗化，去边、钝化，得到钝化层，然后去掉要做电极地方的钝化层，做上N电极，最终得到成品。