[发明专利]基于SOI衬底的La基高介电常数栅介质结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201610898309.6 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN106505098A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 刘红侠;冯兴尧;汪星;刘贺蕾;赵璐;费晨曦 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L21/285;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心61205 | 代理人： | 王品华,朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于SOI衬底的高介电常数材料栅介质，主要解决现有栅介质材料介电常数低，热稳定性和薄膜致密性差等问题。该栅介质材料自下而上包含SOI衬底(1)、阻挡层(2)、La基高介电常数薄膜(3)和保护层(4)，其中，阻挡层(2)采用厚度为0.5‑4nm的Al2O3；La基高介电常数薄膜(3)采用厚度为1‑10nm的La2O3或LaAlO3或HfLaOx；保护层(4)采用厚度为1‑4nm的Al2O3。整个栅介质采用原子层淀积方法制备，其工艺与现有CMOS工艺相兼容。本发明具有介电常数高，薄膜致密性和台阶覆盖性好，热稳定性好，表面粗糙度小的优点，可用于金属氧化物半导体场效应晶体管的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 soi 衬底 la 介电常数 介质 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于SOI衬底的La基高介电常数栅介质，自下而上包括衬底(1)、阻挡层(2)和La基高介电常数薄膜(3)，其特征在于：La基高介电常数薄膜(3)的上面增加有Al2O3保护层(4)，以降低在淀积La基高介电常数薄膜(3)过程中所形成的La2O3与空气中的水汽反应速度；阻挡层(2)采用厚度为0.5‑4nm的Al2O3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610898309.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种聚丙烯酸改性云母氧化铁的方法
- 下一篇：一种硬脂酸改性云母氧化铁的方法
- 同类专利
- 专利分类
