[发明专利]高质量a面氮化铝薄膜及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201610898631.9 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN106498395B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 曾飞;傅肃磊;李起;潘峰;彭晶晶 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C23C28/04 | 分类号： | C23C28/04 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了高质量a面氮化铝薄膜及其制备方法与应用。该方法包括如下步骤：(1)在衬底表面制备二硫化钼涂层，得到二硫化钼覆盖的衬底；(2)在所述二硫化钼覆盖的衬底上沉积氧化锌，得到氧化锌缓冲层薄膜覆盖的衬底；(3)利用反应溅射，在所述氧化锌缓冲层薄膜覆盖的衬底上沉积氮化铝薄膜，即可得到所述a面氮化铝薄膜。由于采用二硫化钼衬底和氧化锌缓冲层，本发明制备得到的a面氮化铝薄膜，扫描其(1120)面摇摆曲线半高宽可低于1°，具有低的螺型和刃型位错密度，a面氮化铝晶体质量有明显提高；有效地缓解了氮化铝层与衬底层之间的晶格失配和热膨胀系数失配的问题；可用于制备高频、大功率、高机电耦合系数的SAW器件。 | ||
| 搜索关键词： | 质量 氮化 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种a面氮化铝薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)在衬底表面制备二硫化钼涂层，得到二硫化钼覆盖的衬底；(2)在所述二硫化钼覆盖的衬底上沉积氧化锌，得到氧化锌缓冲层薄膜覆盖的衬底；(3)利用反应溅射，在所述氧化锌缓冲层薄膜覆盖的衬底上沉积氮化铝薄膜，即可得到所述a面氮化铝薄膜；步骤(1)中，所述衬底为蓝宝石、铝酸镧或碳化硅。
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