[发明专利]一种湿法去除金刚石线切割多晶硅片表面线痕的方法有效
| 申请号： | 201610898678.5 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN106340446B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 沈鸿烈;郑超凡;蒲天;蒋晔;吴兢 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种用于去除金刚石线切割多晶硅后表面产生的切割痕的方法。其方法步骤如下：(1)对硅片进行预清洗；(2)将清洗好的硅片置于HF/HNO3/H2O混合溶液中进行制绒处理(3)将制绒好的硅片置于H2O2/HF/AgNO3/Cu(NO3)2和超纯水的混合溶液中腐蚀以制备纳米结构；(4)采用纳米重构溶液对纳米结构进行扩大处理，进行各向异性腐蚀从而去除多晶硅表面切割痕。本发明是基于MACE(金属辅助化学腐蚀法)制备黑硅减反结构的基础上，利用腐蚀过程中的各向异性去除金刚线切割多晶硅片表面切割痕，同时也大大降低的硅片表面的反射率，对未来低成本、高转换效率的金刚线切割多晶硅太阳电池的制备具有重要的应用潜能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 去除 金刚石 切割 多晶 硅片 表面 方法 | ||
【主权项】：
1.一种湿法去除金刚石线切割多晶硅片表面切割线痕的方法，其特征在于常规酸腐蚀预处理结合银铜双金属协同辅助化学腐蚀和纳米重构技术在金刚石线切割多晶硅片表面制备倒金字塔减反射结构，在去除线痕、降低表面粗糙度的同时也可以降低硅片表面的反射率并制备高转换效率的多晶硅太阳电池。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京航空航天大学，未经南京航空航天大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610898678.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
