[发明专利]OLED像素混合补偿电路及混合补偿方法有效

专利信息
申请号: 201610899709.9 申请日: 2016-10-14
公开(公告)号: CN106328061B 公开(公告)日: 2019-03-12
发明(设计)人: 聂诚磊;吴元均 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种OLED像素混合补偿电路及混合补偿方法,通过采用4T1C结构的像素内部驱动电路(100),利用源极跟随方式来对驱动薄膜晶体管的阈值电压进行内部补偿,补偿速度快,同时在驱动发光阶段通过外部补偿电路(200)感测流过有机发光二极管(D1)的电流,将流过有机发光二极管(D1)的电流与预设电流进行比较并计算出差异值进行存储,当对应像素内部驱动电路(100)再次进行阈值电压编程时对数据信号(Data)进行补偿,修正补偿结果,使流过有机发光二极管(D1)的电流与预设电流更加接近,补偿范围大。
搜索关键词: oled 像素 混合 补偿 电路 方法
【主权项】:
1.一种OLED像素混合补偿电路,其特征在于,包括呈阵列式排布的多个像素内部驱动电路(100)、及电性连接每一列像素内部驱动电路(100)的外部补偿电路(200);每一像素内部驱动电路(100)均包括:第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第一电容(C1)、及有机发光二极管(D1);第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第一节点(G),源极电性连接第二节点(S),漏极接入电源电压(VDD);第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第一扫描信号(Scan1),源极接入数据信号(Data),漏极电性连接第一节点(G);第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第二扫描信号(Scan2),源极接入初始化电压(Vini),漏极电性连接第一节点(G);第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第二扫描信号(Scan2),源极接入初始化电压(Vini),漏极电性连接第二节点(S);第一电容(C1)的一端电性连接第一节点(G),另一端电性连接第二节点(S);有机发光二极管(D1)的阳极电性连接第二节点(S),阴极接地;所述外部补偿电路(200)包括:模数转换器(210)、电流比较器(220)、控制模块(230)、存储器(240)、及数模转换器(250);模数转换器(210)的输入端电性连接对应列像素内部驱动电路(100)中第一薄膜晶体管(T1)的漏极,输出端电性连接电流比较器(220)的输入端;电流比较器(220)的输出端电性连接控制模块(230)的输入端;控制模块(230)的输出端电性连接存储器(240)的输入端;存储器(240)的输出端电性连接数模转换器(250)的输入端;数模转换器(250)的输出端电性连接对应列像素内部驱动电路(100)中第二薄膜晶体管(T2)的源极。
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