[发明专利]一种碲锌镉衬底、制备方法及其应用在审
| 申请号： | 201610899727.7 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN106505111A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 林国画;陈慧卿;张敏;梁宗久;宁提 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心11010 | 代理人： | 张然 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电技术领域，特别涉及一种碲锌镉衬底、制备方法及其应用。本发明提供的碲锌镉衬底，在所述碲锌镉衬底的任意一个表面上设有增透结构，所述增透结构为周期变化的图形，占空比小于0.8，周期小于6微米。表面设有增透结构的碲锌镉衬底的透过率明显高于普通的碲锌镉衬底，也高于在碲锌镉表面镀红外膜层的碲锌镉衬底，本发明提供的碲锌镉衬底应用于碲镉汞红外焦平面探测器组件中，可以提高碲镉汞红外焦平面探测器组件的探测能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲锌镉 衬底 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种碲锌镉衬底，其特征在于：在所述碲锌镉衬底的任意一个表面上设有增透结构，所述增透结构为周期变化的图形，占空比小于0.8，周期小于6微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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