[发明专利]包括可逆和单次可编程磁隧道结的半导体器件有效
| 申请号： | 201610900064.6 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN107039579B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 徐辅永;李龙圭;高宽协;李重在 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，其包括存储单元阵列，该存储单元阵列进一步包括第一磁性存储单元的阵列和第二磁性存储单元的阵列。第一磁性存储单元中的每一个包括具有可逆阻抗状态的第一磁隧道结结构，而第二磁性存储单元中的每一个包括具有单次可编程(OTP)阻抗状态的第二磁隧道结结构。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 可逆 可编程 隧道 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：多个字线；穿过所述多个字线的多个位线，所述多个位线包括第一位线和第二位线，所述第二位线在所述多个字线延伸的方向上与所述第一位线间隔开；多个第一存储单元，所述多个第一存储单元连接在所述多个字线和所述第一位线之间，多个第一存储单元中的每一个包括第一存储元件和第一选择元件，所述第一存储元件和第一选择元件彼此连接；以及多个第二存储单元，所述多个第二存储单元连接在所述多个字线和所述第二位线之间，所述多个存储单元中的每一个包括第二存储元件和第二选择元件，所述第二存储元件和所述第二选择元件彼此连接；其中，所述第一存储元件包括第一磁隧道结，且所述第二存储元件包括第二磁隧道结，所述第一和第二磁隧道结中的每一个包括被钉扎层、自由层和在所述被钉扎层和自由层之间的隧道屏障层；以及其中所述第二磁隧道结的第一部分的所述隧道屏障层具有不可逆阻抗状态。
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