[发明专利]磁存储装置有效
申请号: | 201610900391.1 | 申请日: | 2016-10-14 |
公开(公告)号: | CN107017275B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 徐辅永;徐宣揆;高宽协;李龙圭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L43/02;H01L43/08 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开提供了磁存储装置。一种磁存储装置包括:基板;在基板上的着陆焊盘;第一磁隧道结图案和第二磁隧道结图案,设置在基板上并且当从平面图观看时与着陆焊盘间隔开;以及互连结构,将第二磁隧道结图案的顶表面电连接到着陆焊盘。当从平面图观看时,着陆焊盘和第一磁隧道结图案之间的距离大于第一磁隧道结图案和第二磁隧道结图案之间的距离,并且着陆焊盘和第二磁隧道结图案之间的距离大于第一磁隧道结图案和第二磁隧道结图案之间的距离。 | ||
搜索关键词: | 存储 装置 | ||
【主权项】:
一种磁存储装置,包括:基板;着陆焊盘,在所述基板上;第一磁隧道结图案和第二磁隧道结图案,在所述基板上,所述第一磁隧道结图案和所述第二磁隧道结图案与所述着陆焊盘间隔开;以及互连结构,将所述第二磁隧道结图案的顶表面电连接到所述着陆焊盘,其中所述第一磁隧道结图案与所述着陆焊盘间隔开第一距离,其中所述第二磁隧道结图案与所述着陆焊盘间隔开第二距离,其中所述第一磁隧道结图案与所述第二磁隧道结图案间隔开第三距离,其中所述第一距离大于所述第三距离,并且其中所述第二距离大于所述第三距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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