[发明专利]制作半导体装置的方法

摘要

本发明揭露一种制作半导体装置的方法。于制作半导体装置的方法中，掺杂层是形成于基材中。形成接触掺杂层的阻绝层。半导体层是形成于基材和阻绝层上。通过图案化半导体层、阻绝层和掺杂层，来形成鳍片式结构，而使鳍片式结构包含具有半导体层的通道区域和具有掺杂层的井区域。形成隔离绝缘层，而使鳍片式结构的第一部分从隔离绝缘层突伸出，且鳍片式结构的第二部分嵌入至隔离绝缘层中。栅极结构是形成于鳍片式结构和隔离绝缘层上。

主权项

一种制作半导体装置的方法，其特征在于，该制作半导体装置的方法包含：形成一掺杂层于一基材中；形成接触该掺杂层的一阻绝层；形成一半导体层于该基材和该阻绝层上；通过图案化该半导体层、该阻绝层和该掺杂层，来形成一鳍片式结构，而使该鳍片式结构包含一通道区域与一井区域，其中该通道区域包含该半导体层，且该井区域包含该掺杂层；形成一隔离绝缘层，而使该鳍片式结构的一第一部分从该隔离绝缘层突伸出，且使该鳍片式结构的一第二部分嵌入至该隔离绝缘层中；以及形成一栅极结构于该鳍片式结构和该隔离绝缘层上。