[发明专利]沟槽栅IGBT

摘要

本发明提供一种沟槽栅IGBT，在IE型沟槽IGBT中，在单元区域内，交替或者梳齿状地配置实际与发射电极相连接的有源单元以及具有浮置P体区的待用单元，由此构成为在半导体衬底的装置主面侧容易累积空穴。但是，当要使IE型沟槽IGBT中的传导率调制进一步加快以及使装置简单化而扩大待用单元的宽度时，耐压迅速地下降。在本申请的发明中，在IE型沟槽IGBT中，构成单元区域的各线状单位单元区域主要由线状有源单元区域以及线状待用单元区域构成，该线状有源单元区域在其长度方向上，被分割为具有发射区域的有源区以及待用区。

主权项

一种沟槽栅IGBT，其特征在于，包括以下部分：(a)半导体衬底，其具有第一主面和第二主面；(b)漂移区域，其被设置于上述半导体衬底内，具有第一导电型；(c)单元区域，其被设置于上述第一主面上；以及(d)多个线状单位单元区域，其在俯视观察时被设置于上述单元区域内，在此，各线状单位单元区域具有以下部分：(d1)线状有源单元区域，其被设置在从上述漂移区域的上述第一主面上到内部的范围；(d2)一对沟槽内的一对线状沟槽栅电极，其在俯视观察时以从两侧夹持上述线状有源单元区域的方式，被设置于上述第一主面的表面；(d3)体区，其被设置于上述漂移区域的上述第一主面侧表面区域，并且其导电型为与上述第一导电型相反的第二导电型；(d4)线状待用单元区域，其以上述一对线状沟槽栅电极作为边界，以在平面上从两侧夹持上述线状有源单元区域的方式，在两侧相邻地设置；(d5)上述第一导电型的发射区域，其在上述线状有源单元区域内，被设置于上述体区的上述第一主面侧表面区域，并且具有比上述漂移区域高的杂质浓度；(d6)上述第一导电型的空穴势垒区域，其在上述线状有源单元区域内，被设置于上述体区的下部的上述漂移区域内，具有比上述漂移区域高的杂质浓度且具有比上述发射区域低的杂质浓度；以及(d7)上述第二导电型的浮置区域，其在上述线状待用单元区域内，设置于上述第一主面侧表面区域的一部分的整面上，在此，上述浮置区域覆盖上述一对沟槽的一方的下端部，其深度大于上述一对沟槽的一方的深度。