[发明专利]非挥发性内存单元的制造方法

摘要

本发明公开了一种非挥发性内存单元的结构，包含一基板，具有一上表面，上表面上形成一沟渠结构，沟渠结构具有一空间，及定义空间的一侧墙及一底部。基板中设置一源极区及一漏极区，其中源极区位于沟渠结构之下。一穿隧介电层，形成于沟渠结构的侧墙与底部之上。一悬浮闸极区，形成于穿隧介电层的表面上，且悬浮闸极区的一部份位于沟渠结构的空间中。一控制闸极区，形成于悬浮闸极区的表面上，且控制闸极区与悬浮闸极区以一第二介电层相绝缘。本发明能够减轻闸极引发漏极漏电流效应，并对导通电流大小有良好的控制，更能进一步配合先进制程缩小内存单元的单位面积。

主权项

一种非挥发性内存单元的制造方法，其特征在于，所述非挥发性内存单元的制造方法包含：提供一基板，其中所述基板具有一上表面；形成一第一介电层于所述基板的所述上表面之上；形成一选择闸极区于所述第一介电层之上；于所述基板的所述上表面上相邻于所述选择闸极区，形成一沟渠结构，其中所述沟渠结构具有一空间，及定义所述空间的一侧墙及一底部；于所述沟渠结构下方的所述基板中，以掺杂方式形成一源极区；于所述沟渠结构的所述侧墙及所述底部之上，形成一穿隧介电层；于所述穿隧介电层之上，形成一悬浮闸极区；于位于所述选择闸极区一侧的源极区中，形成一不同浓度且范围较小的掺杂区；并于位于所述选择闸极区的另一侧的所述基板中，形成另一掺杂区以作为一漏极区；于所述悬浮闸极区之上，形成一第二介电层；于所述第二介电层之上，形成一控制闸极区，且所述控制闸极区的一部份位于所述沟渠结构的所述空间中。