[发明专利]AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法有效
申请号: | 201610900999.4 | 申请日: | 2016-10-17 |
公开(公告)号: | CN106504701B | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 聂诚磊 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3225 | 分类号: | G09G3/3225;G09G3/3258 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。该AMOLED像素驱动电路,采用6T1C结构,其中第六薄膜晶体管(T6)的栅极与漏极短接,均接入电源正电压(VDD),形成二极管,将第六薄膜晶体管(T6)源极输出的电压即电源正电压(VDD)与第六薄膜晶体管(T6)阈值电压的差值作为参考信号电压,在驱动发光阶段写入第一节点(A),以完成对第四薄膜晶体管(T4)即驱动薄膜晶体管阈值电压漂移的补偿,无需单独设置参考信号电压,该AMOLED像素驱动电路应用于显示面板时,参考信号电压的输入点的数量增加,能够降低参考信号在传输过程中的损耗,保证阈值电压补偿效果,同时减少面板内部的布线数量,降低制程中可能的短路几率,可有效提升面板良率。 | ||
搜索关键词: | amoled 像素 驱动 电路 方法 | ||
【主权项】:
1.一种AMOLED像素驱动方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供一AMOLED像素驱动电路;所述AMOLED像素驱动电路包括:第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第一电容(C1)、及有机发光二极管(D1);第一薄膜晶体管(T1)的栅极接入扫描信号(Scan),源极接入数据信号(Data),漏极电性连接第一节点(A);第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入发光信号(Emit),源极电性连接第六薄膜晶体管(T6)的源极,漏极电性连接第一节点(A);第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入扫描信号(Scan),源极电性连接第三节点(C),漏极电性连接第二节点(B);第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接第二节点(B),源极电性连接有机发光二极管(D1)的阳极,漏极电性连接第三节点(C);第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入发光信号(Emit),源极接入电源正电压(VDD),漏极电性连接第三节点(C);第六薄膜晶体管(T6)的栅极与漏极短接,均接入电源正电压(VDD),源极电性连接第二薄膜晶体管(T2)的源极;第一电容(C1)的一端电性连接第一节点(A),另一端电性连接第二节点(B);有机发光二极管(D1)的阳极电性连接第四薄膜晶体管(T4)的源极,阴极接入电源负电压(VSS);步骤2、进入编程阶段(1);所述扫描信号(Scan)提供高电位,第一、及第三薄膜晶体管(T1、T3)打开,所述发光信号(Emit)提供低电位,第二、及第五薄膜晶体管(T2、T5)关闭,第一节点(A)写入数据信号(Data)提供的电压,导通的第三薄膜晶体管(T3)短接第四薄膜晶体管(T4)的栅极与漏极,第二节点(B)即第四薄膜晶体管(T4)的栅极的电压达到Vth4+VOLED+VSS,其中Vth4为第四薄膜晶体管(T4)的阈值电压,VOLED为有机发光二极管(D1)的阈值电压,VSS为电源负电压,第四薄膜晶体管(T4)的源极电压达到VOLED+VSS;步骤3、进入驱动发光阶段(2);所述扫描信号(Scan)提供低电位,第一、及第三薄膜晶体管(T1、T3)关闭,所述发光信号(Emit)提供高电位,第二、及第五薄膜晶体管(T2、T5)打开,第六薄膜晶体管(T6)向第一节点(A)提供参考信号电压VDD‑Vth6,其中VDD为电源正电压,Vth6为第六薄膜晶体管(T6)的阈值电压;为保证第一电容(C1)两端电压差不变,第二节点(B)的电压变为Vth4+VOLED+VSS‑Vdata+VDD‑Vth6,其中Vdata为数据信号(Data)提供的电压,第四薄膜晶体管(T4)的源极电压变为VOLED+VSS+ΔV,ΔV为数据信号(Data)提供的电压对第四薄膜晶体管(T4)的源极电压产生的影响,第四薄膜晶体管(T4)导通,有机发光二极管(D1)发光,且流经有机发光二极管(D1)的电流与所述第四薄膜晶体管(T4)的阈值电压、有机发光二极管(D1)的阈值电压、及电源负电压(VSS)均无关。
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