[发明专利]磁性存储器及与互补金属氧化物半导体驱动电路集成方法有效
| 申请号： | 201610901766.6 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106505077B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | Z·Z·班迪克;J·R·奇尔德里斯;L·M·弗兰卡-内托;J·A·凯廷;N·L·罗伯逊 | 申请（专利权）人： | HGST荷兰公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 提供了一种与互补金属氧化物半导体(CMOS)驱动电路集成的磁性存储器，以及一种与固态驱动器(SSD)中使用的互补金属氧化物半导体(CMOS)驱动电路集成的磁性存储器的实施方法。提供了互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片，并且在CMOS晶片的顶部上形成磁性存储器，提供有效的磁性存储器芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储器 互补 金属 氧化物 半导体 驱动 电路 集成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种实施磁性存储器与互补金属氧化物半导体(CMOS)驱动电路的集成的方法，包括：形成互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片；在互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片的顶部上形成磁性存储器，以提供有效的磁性存储器芯片，在互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片的顶部上形成磁性存储器以提供有效的磁性存储器芯片包括执行初步蚀刻，所述初步蚀刻用于暴露互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片的对准标记，以及对于生长磁性存储器元的柱使用所述对准标记；以及形成多个导电细丝，所述多个导电细丝用于在所述互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片和所述磁性存储器之间提供电连接；所述导电细丝提供抵抗在所述互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片和所述磁性存储器之间的错位的鲁棒性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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