[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201610902615.2 | 申请日： | 2016-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107026233B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 朴相奂;金晥均;金起园;张荣万 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件包括：在基板上的自由磁图案；在自由磁图案上的参考磁图案，参考磁图案包括第一被钉扎图案、第二被钉扎图案以及在第一被钉扎图案和第二被钉扎图案之间的交换耦合图案；在参考磁图案和自由磁图案之间的隧道势垒图案；在隧道势垒图案和第一被钉扎图案之间的极化增强磁图案；和在极化增强磁图案和第一被钉扎图案之间的插入图案，其中第一被钉扎图案包括交替地层叠的第一铁磁图案和反铁磁交换耦合图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：在基板上的自由磁图案；在所述自由磁图案上的参考磁图案，所述参考磁图案包括第一被钉扎图案、第二被钉扎图案以及在所述第一被钉扎图案和所述第二被钉扎图案之间的交换耦合图案；在所述参考磁图案和所述自由磁图案之间的隧道势垒图案；在所述隧道势垒图案和所述第一被钉扎图案之间的极化增强磁图案；和在所述极化增强磁图案和所述第一被钉扎图案之间的插入图案，其中所述第一被钉扎图案包括交替地层叠的第一铁磁图案和第一非磁性图案，其中所述第二被钉扎图案包括交替地层叠的第二铁磁图案和第二非磁性图案，其中所述第二铁磁图案包括与所述第一铁磁图案相同的铁磁材料，并且其中所述第二非磁性图案包括与所述第一非磁性图案不同的非磁性材料。
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