[发明专利]选择性发射极双面PERC晶体硅太阳能电池的制作方法

摘要

本发明涉及一种选择性发射极双面PERC晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征是，包括以下步骤（1）硅片去损伤层并制绒、清洗；（2）扩散形成pn结，去除扩散后硅片正面磷硅玻璃和背面pn结；（3）在硅片的背面沉积氧化铝/氮化硅叠层钝化薄膜，在硅片的正面沉积氮化硅减反射薄膜；（4）使用激光器在硅片背表面打线，得到打线槽；（5）正面涂布磷源；（6）正面激光掺杂，得到激光掺杂的主栅线和副栅线；（7）光诱导电镀镍/铜/银电极将电池背面与外置电源的阴极连接，在电池正面和背面同时电镀，依次电镀镍/铜/银三种金属；（8）将电镀后的电池进行退火。本发明解决了丝网印刷双面PERC电池背面印刷铝栅线与激光开窗栅线难对准的问题。

主权项

一种选择性发射极双面PERC晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征是，包括以下步骤：步骤（1）硅片去损伤层并制绒、清洗：将硅片去损伤层后在加热至80~85℃的碱液和添加剂体系中制绒，在硅片的正面形成绒面；然后在酸性溶液中化学清洗，去除表面杂质；步骤（2）扩散形成pn结：对硅片进行高温磷扩散形成pn结，扩散温度为850~880℃，扩散时间为1.5~2小时，扩散后表面方块电阻为90~120Ω/□；步骤（3）刻蚀：去除扩散后硅片正面磷硅玻璃和背面pn结，同时实现背面化学抛光；步骤（4）镀膜：在硅片的背面沉积氧化铝/氮化硅叠层钝化薄膜，在硅片的正面沉积氮化硅减反射薄膜；步骤（5）背面激光开窗：使用激光器在硅片背表面打线，使背面的氧化铝/氮化硅叠层钝化薄膜从硅片背面剥离，得到打线槽；步骤（6）正面涂布磷源：在硅片正面喷涂或者甩涂浓度为3~8%的磷酸溶液，作为激光掺杂的磷源；步骤（7）正面激光掺杂：使用激光对硅片正面进行加热，使硅片加热至熔融状态，在激光对硅片表面加热开槽的同时，磷酸内的磷原子融入熔融状态的硅中；当激光的光斑从熔融的区域移开后，此区域开始冷却并再结晶，融入的磷原子与硅形成合金，形成相应的N++层，得到激光掺杂的主栅线和副栅线；步骤（8）光诱导电镀镍/铜/银电极：将电池背面与外置电源的阴极连接，在电池正面和背面同时电镀，电镀时在电池的正面栅线处以及在电池背面激光打线得到的打线槽中依次电镀镍/铜/银三种金属，电镀完成后正面栅线宽度30~35μm，高度13~15μm，背面栅线宽度50~65μm，高度25~32μm；步骤（9）退火：将电镀后的电池在氮气氛围中退火，退火温度350~450℃，退火时间1~3分钟。