[发明专利]基于非晶态的SiO2的阴极材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201610902796.9 | 申请日： | 2016-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN106356521A | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 王海龙;何苗;李兴财 | 申请（专利权）人： | 宁夏大学 |
| 主分类号： | H01M4/48 | 分类号： | H01M4/48;H01M10/0525;H01M10/058 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司11385 | 代理人： | 董芙蓉 |
| 地址： | 750021 宁夏回族自*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于非晶态的SiO2的阴极材料及其制备方法和应用，所述基于非晶态的SiO2的阴极材料SiO2与PVDF混合；SiO2纯度为分析纯，粒径为5‑10微米级；所述制备方法包括以下步骤将称量好的粉末放进模具中，在10‑1000MPa下，制得直径为1‑1000mm，厚度为1‑1000mm的圆片；在500‑1500℃下烧结1‑100h，制备得到阴极材料。本发明利用非晶态的SiO2作为阴极材料的制备方法，利用非晶态材料各向同性，没有择优取向的特点，熔盐电解质没有择优渗透通道，使得各个方向的电解还原速度趋于一致，最后直接得到极细小的纳米级Si颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 晶态 sio2 阴极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种基于非晶态的SiO2的阴极材料，其特征在于，所述基于非晶态的SiO2的阴极材料SiO2与PVDF混合；SiO2纯度为分析纯，粒径为5‑10微米级；阴极材料SiO2与PVDF重量比例1～10000。
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