[发明专利]一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 201610903797.5 | 申请日: | 2016-10-17 |
公开(公告)号: | CN106478107B | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 张海军;韩磊;邓先功;王军凯;张少伟 | 申请(专利权)人: | 武汉科技大学 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/81;C04B38/10;C04B35/634;C04B35/64 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 张火春 |
地址: | 430081 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。其技术方案是:将稳泡剂加入去离子水中,磁力搅拌12~24h,制得稳泡剂溶液。将催化剂、异丁烯‑马来酸酐共聚物和陶瓷粉体加入到所述稳泡剂溶液中,机械搅拌5~15min,制得氮化硅/碳化硅陶瓷浆料。将发泡剂加入到所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料中,搅拌,注浆成型,脱模,干燥,在1150~1400℃条件下保温2~6h,制得氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷。本发明具有制备工艺简单、对设备要求不高、易于控制、污染小、合成温度低和生产成本低的特点;所制备的氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷孔隙率高、强度大、韧性好和产业前景大。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化 硅晶须 结合 碳化硅 多孔 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷的制备方法,其特征在于所述制备方法的具体步骤是∶步骤一、按稳泡剂∶去离子水的质量比为(0.001~0.01)∶1,将稳泡剂加入到去离子水中,磁力搅拌12~24h,制得稳泡剂溶液;步骤二、按催化剂∶异丁烯‑马来酸酐共聚物∶陶瓷粉体∶所述去离子水的质量比为(0~0.08)∶(0.004~0.015)∶(2.12~3.10)∶1,将催化剂、异丁烯‑马来酸酐共聚物和陶瓷粉体加入到所述稳泡剂溶液中,机械搅拌5~15min,制得氮化硅/碳化硅陶瓷浆料;步骤三、按发泡剂∶所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料的体积比为(0.005~0.02)∶1,将发泡剂加入到所述氮化硅/碳化硅陶瓷浆料中,机械搅拌1~3min,制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷浆料;步骤四、将所述氮化硅/碳化硅多孔陶瓷浆料注入模具中,在10~70℃条件下固化6~12h,脱模,制得氮化硅/碳化硅多孔陶瓷坯体;步骤五、将所述氮化硅/碳化硅多孔陶瓷坯体进行干燥,在1150~1400℃条件下保温2~6h,通过低温原位催化氮化反应,形成氮化硅晶须结合相,制得氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷;所述稳泡剂为羧甲基纤维素、聚丙烯酰胺和羟丙基甲基纤维素中的一种,所述稳泡剂为工业纯或为分析纯;所述催化剂为氧化铁、三氧化二钴和氧化镍中的一种以上,所述催化剂为分析纯;所述陶瓷粉体为硅和碳化硅的混合粉体,其中:硅为10~50wt%,碳化硅为50~90wt%;所述陶瓷粉体的中位粒径≤10μm。
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