[发明专利]一种多阱核壳结构量子点及其制备方法在审
| 申请号： | 201610903916.7 | 申请日： | 2016-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN106566526A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 程陆玲;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/66;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268 | 代理人： | 王永文,刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多阱核壳结构量子点及其制备方法，其包括步骤A、生长一层量子点核；步骤B、在量子点核外依次循环生长第一量子点壳和第二量子点壳，直至生长至预定层数的壳；其中，采用阳离子交换法生长第一量子点壳，采用连续离子层法生长第二量子点壳。与现有技术只利用连续离子层技术制备得到多阱结构量子点不同，本发明采用阳离子交换法生长第一量子点壳，采用连续离子层法生长第二量子点壳，从而有效解决阱层与壳层之间得晶格失配问题，同时也可以有效地控制整个量子点的尺寸大小以及发射波长半峰宽较大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多阱核壳 结构 量子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多阱结构量子点的制备方法，其特征在于，包括：步骤A、生长一层量子点核；步骤B、在量子点核外依次循环生长第一量子点壳和第二量子点壳，直至生长至预定层数的壳；其中，采用阳离子交换法生长第一量子点壳，采用连续离子层法生长第二量子点壳。
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