[发明专利]TVS管的制作方法在审
| 申请号： | 201610905196.8 | 申请日： | 2016-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN106252226A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 刘凯哲 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所31283 | 代理人： | 薛琦;王聪 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了TVS管的制作方法，包括以下步骤：在TVS管完成前半段工艺后形成器件区域并进行隔离槽刻蚀；在隔离槽内热氧化生长第一预设厚度的二氧化硅；在隔离槽的二氧化硅上通过化学气相淀积生长第二预设厚度的N型掺杂多晶硅以填满隔离槽；用光刻胶遮挡住介质电容区和隔离槽进行光刻后，再进行多晶硅刻蚀，刻蚀完成后将光刻胶去除；在多晶硅上采用LPCVD淀积第三预设厚度的氮化硅；淀积第四预设厚度的层间介质层，采用接触式刻蚀方法刻蚀出引线孔；在引线孔上淀积顶层金属层。本发明的TVS管的制作方法通过并联MIP介质电容，提高TVS管的电容稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | tvs 制作方法 | ||
【主权项】：
一种TVS管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在所述TVS管完成前半段工艺后形成器件区域，在器件区域进行隔离槽刻蚀；S2、在所述隔离槽内热氧化生长第一预设厚度的二氧化硅；S3、在所述隔离槽的二氧化硅上通过化学气相淀积生长第二预设厚度的N型掺杂多晶硅以填满所述隔离槽；S4、用光刻胶遮挡住介质电容区和隔离槽进行光刻后，再进行多晶硅刻蚀，刻蚀完成后将光刻胶去除；S5、在所述多晶硅上采用LPCVD淀积第三预设厚度的氮化硅；S6、淀积第四预设厚度的层间介质层，采用接触式刻蚀方法刻蚀出引线孔；S7、在所述引线孔上淀积顶层金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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