[发明专利]一种MRAM芯片在审
| 申请号： | 201610905519.3 | 申请日： | 2016-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107958681A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾;俞华樑;叶力;郭一民;陈峻 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙)31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种MRAM芯片，包括多个由MRAM存储单元组成的阵列，每个阵列采用位线和源极线垂直的布局，每个字中的比特分别存储在不同的阵列中，每一个阵列存储一个比特。位线与源极线垂直，每个字中的每个比特分别存储在多个阵列中，由于一个阵列每次只写一个比特，不再需要高电压或负电压，使得阵列设计简单且能耗降低，解决了源极线供电不足的问题；阵列中同一行的所有位线共享读出放大器，一个阵列仅需一个读出放大器，降低了MRAM芯片的成本；在使用ECC纠错时，由于同一个字的不同比特不存在相邻的位置，降低了连续出错的几率，保证了ECC能够正确地纠正错误，提高了MRAM芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mram 芯片 | ||
【主权项】：
一种MRAM芯片，包括多个由MRAM存储单元组成的阵列，其特征在于，每个阵列采用位线和源极线垂直的布局，每个字中的比特分别存储在不同的阵列中，每一个阵列存储一个比特。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海磁宇信息科技有限公司，未经上海磁宇信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610905519.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：存储器模块和用于存储器模块的处理数据缓冲器
- 下一篇：存储器件
