[发明专利]脉冲激光沉积系统及采用该系统来沉积薄膜的方法在审

专利信息
申请号: 201610905668.X 申请日: 2016-10-18
公开(公告)号: CN106399949A 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 石永敬 申请(专利权)人: 重庆科技学院
主分类号: C23C14/28 分类号: C23C14/28
代理公司: 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙)11316 代理人: 滑春生
地址: 401331 重*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明提供一种脉冲激光沉积系统及采用该系统来沉积薄膜的方法,该系统包括真空室、衬底承载架、非平衡磁极辅助靶、激光器和光路系统,其中衬底承载架设置在真空室的下侧,非平衡磁极辅助靶设置在真空室内且其面向真空室内侧的一面上设置有至少一对磁极且在该对磁极之间形成有非平衡磁场,在该对磁极之间设置有靶材,激光器产生的激光束通过光路系统聚焦至所述靶材表面,以在靶材上产生烧蚀等离子体,烧蚀等离子体在非平衡磁场的作用下做进一步电离并均匀分布至靶材表面。通过本发明,可以有效解决激光沉积薄膜的厚度及成分的均匀性。
搜索关键词: 脉冲 激光 沉积 系统 采用 薄膜 方法
【主权项】:
一种脉冲激光沉积系统,其特征在于,包括真空室、衬底承载架、非平衡磁极辅助靶、激光器和光路系统,其中所述衬底承载架和所述非平衡磁极辅助靶相对设置在所述真空室内,所述非平衡磁极辅助靶面向所述真空室内侧的一面上设置有至少一对磁极且在该对磁极之间形成有非平衡磁场,在该对磁极之间设置有靶材,所述激光器产生的激光通过所述光路系统聚焦至所述靶材表面,以在所述靶材上产生烧蚀等离子体,所述烧蚀等离子体在所述非平衡磁场的作用下做进一步电离并均匀分布至所述靶材表面。
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