[发明专利]一种沿[400]晶向取向生长的PbPdO2材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610906106.7 | 申请日： | 2016-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN106381522B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 苏海林;刘俊;梅超;吴玉程;黄荣俊 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B28/04;C30B29/64 |
| 代理公司： | 合肥金安专利事务所(普通合伙企业) 34114 | 代理人： | 胡治中 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶向可控的PbPdO2材料及其制备方法：所述PbPdO2材料，其最强衍射峰对应的晶粒生长方向为[400]晶向。所述的制备方法，包括：称量含有Fe、含有Pb和含有Pd的化合物；将含有Fe、含有Pb的化合物与混合溶剂、络合剂混合，获得含有Fe和Pb的混合液；将含有Pd的化合物与强酸混合，获得含有强酸的混合液；将混合液混合，获得溶胶；将溶胶涂覆在基板上烘干和预烧，获得预烧薄膜；将预烧薄膜进行煅烧，获得的产物。有益效果：本发明在不依赖于高匹配度晶格常数基板的情况下，成功实现了诱导PbPdO2材料沿[400]晶向做择优取向生长，并形成纳米颗粒膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 400 取向 生长 pbpdo2 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沿[400]晶向取向生长的PbPdO2材料，其特征在于，该PbPdO2材料最强衍射峰对应的晶粒生长方向为[400]晶向；所述PbPdO2材料为掺杂Fe元素的薄膜材料；且当Fe的掺杂比例在5at.％～25at.％时，PbPdO2材料最强衍射峰对应的晶粒生长方向为[400]晶向；当随Fe的掺杂比例由5at.％上升至25at.％，PbPdO2材料沿[400]晶向择优生长的取向度线性增加；在掺杂Fe元素的PbPdO2薄膜材料中，Pb元素、Pd元素、Fe元素三者间的原子比为4.21:(0.75‑0.95):(0.05‑0.25)；具体制备操作步骤如下：称量含有Fe的化合物、含有Pb的化合物和含有Pd的化合物；将含有Fe的化合物、含有Pb的化合物与混合溶剂、络合剂混合，获得含有Fe和Pb的混合液；将含有Pd的化合物与强酸混合，获得含有强酸的混合液；将含有Fe和Pb的混合液与含有强酸的混合液混合，获得溶胶；将溶胶涂覆在基板上烘干和预烧，获得预烧薄膜；将预烧薄膜进行煅烧，获得的产物即为最强衍射峰对应的晶粒沿[400]晶向取向生长的Fe:PbPdO2材料薄膜。
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