[发明专利]一种单晶薄膜沉积速率在线测定的方法及应用

摘要

一种单晶薄膜沉积速率在线测定的方法及应用，属于薄膜材料领域。该方法在缓冲层生长完成后，用主挡板隔绝III族元素束源炉和衬底，既给了缓冲层充分的稳定时间，又保持III族元素束源炉始终处于开启状态，维持其内外温度的稳定，从而有效避免了过冲效应带来的测定误差，以获得更高的测定精度。本发明还提供一种上述方法在单晶薄膜沉积工艺中的应用，其采用上述的单晶薄膜沉积速率在线测定的方法对薄膜生长速率进行精确测定，并以此为依据调整薄膜生长相关的仪器参数，让薄膜在最适生长速度下生长，从而优化薄膜产品质量。

主权项

1.一种单晶薄膜沉积速率在线测定的方法，所述单晶薄膜利用III族元素分子束和As分子束经分子束外延沉积，其特征在于，其包括：将衬底置于分子束外延设备的真空生长室，在所述衬底上生长缓冲层；在所述衬底生长所述缓冲层后，关闭位于提供所述III族元素分子束的III族元素束源炉和提供所述As分子束的As束源炉与所述衬底之间的分子束主挡板，同时开启所述III族元素束源炉和所述As束源炉，并维持60～90s后再打开所述分子束主挡板，在单晶薄膜沉积生长的过程中获取所述单晶薄膜沉积的反射式高能电子衍射强度振荡信息；根据反射式高能电子衍射强度振荡信息计算所述单晶薄膜沉积速率。