[发明专利]一种GaN基电子器件垂直芯片在审
| 申请号： | 201610906335.9 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN107968120A | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 陈振;孙赫明;周民兵;付羿 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基电子器件垂直芯片，该GaN基电子器件垂直芯片中包括外延结构，从下到上依次为导电衬底层、导电缓冲层、n型层、p型层及电子提供层；分设于外延结构中导电衬底层一侧和电子提供层一侧的源电极和漏电极；及与n型层连接的栅电极。相比于现有横向结构芯片来说，芯片厚度可以大为提高，以此大大提高了击穿电压；另外，有效避免横向结构芯片中易出现的电流坍塌问题，大幅度提高该垂直结构芯片封装而成的电子器件的高频特性；再有，由于源电极和漏电极分别在垂直结构芯片的两端，简化了制作工艺简单，减小了电子器件的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 电子器件 垂直 芯片 | ||
【主权项】：
一种GaN基电子器件垂直芯片，其特征在于，所述GaN基电子器件垂直芯片中包括：外延结构，从下到上依次为：导电衬底层、导电缓冲层、n型层、p型层及电子提供层；分设于外延结构中导电衬底层一侧和电子提供层一侧的源电极和漏电极；及与n型层连接的栅电极。
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