[发明专利]噻吩类化合物、其制备方法与应用、钙钛矿太阳电池有效

专利信息
申请号: 201610906545.8 申请日: 2016-10-17
公开(公告)号: CN106432265B 公开(公告)日: 2018-06-01
发明(设计)人: 王鹏;王俊婷;李阳;董献堆 申请(专利权)人: 中国科学院长春应用化学研究所
主分类号: C07D495/14 分类号: C07D495/14;C07D409/04;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 赵青朵
地址: 130022 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明提供了一种噻吩类化合物、其制备方法与应用、钙钛矿太阳电池,该噻吩类化合物如式(I)所示,R1与R1′各自独立地为H、C1~C12烃基或C1~C12烷氧基;R2、R3与R4各自独立地为H、C1~C12烃基、C1~C12烷氧基或C1~C12烷氧基取代的苯基。与现有技术相比,本发明提供的噻吩类化合物为并三噻吩、噻吩并吡咯或双噻吩并环戊二烯与两个三芳胺共轭偶联的结构,使其空穴迁移率较高,进而提高使具有该噻吩类化合物制备而成的空穴输运层的钙钛矿太阳电池具有较高的能量转换效率。
搜索关键词: 噻吩类化合物 式( I ) 钙钛矿 制备 烷氧基 烃基 能量转换效率 空穴迁移率 空穴输运层 烷氧基取代 噻吩并吡咯 环戊二烯 三芳胺 苯基 共轭 偶联 应用
【主权项】:
1.一种噻吩类化合物,如式(I)所示:其中-A-选自-S-、R1与R1′各自独立地选自C1~C12烃基或C1~C12烷氧基;R2选自C1~C12烷氧基取代的苯基;R3与R4各自独立地选自C1~C12烃基、C1~C12烷氧基或C1~C12烷氧基取代的苯基。
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