[发明专利]一种片上调制的集成光学谐振腔在审
| 申请号： | 201610906601.8 | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN106501972A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 冯丽爽;王潇;刘丹妮;杨聚朋;焦洪臣;王琪伟 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所11121 | 代理人： | 祗志洁 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种片上调制的集成光学谐振腔，应用多层波导结构，实现集成光学谐振腔的有源无源器件的高度集成化设计。本发明的集成光学谐振腔为集成的上下两层结构，在下层的波导基底上制备谐振腔和传输波导，铌酸锂波导调制器制作在谐振腔上层，铌酸锂波导调制器通过在铌酸锂波导两侧施加电场，改变波导的等效折射率，实现波导中光相位延迟量的调制。铌酸锂波导与位于下层的谐振腔或传输波导之间制备有跨层耦合器。本发明去除了外部调制器与谐振腔的光纤耦合结构，采用调制器与谐振腔的垂直直接耦合，可减小入腔光偏振消光比的衰减，以保持更高的入腔偏振消光比，简化了系统模型，提高了系统集成化程度，增强了系统可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调制 集成 光学 谐振腔 | ||
【主权项】：
一种片上调制的集成光学谐振腔，其特征在于，该光学谐振腔为集成的上下两层结构，在下层的波导基底上制备谐振腔和传输波导，传输波导与谐振腔之间制备有波导耦合器；铌酸锂波导调制器制作在谐振腔上层，铌酸锂波导调制器通过在铌酸锂波导两侧施加电场，改变波导的等效折射率，实现波导中光相位延迟量的调制；铌酸锂波导与位于下层的谐振腔或传输波导之间制备有跨层耦合器。
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