[发明专利]CMOS图像传感器结构及其形成方法

摘要

一种CMOS图像传感器结构包括衬底和像素部分。每一个像素部分都包括交叉区域、边界区域和中心区域，其中，每一个边界区域都位于多个交叉区域中的任两个相邻的交叉区域之间，并且中心区域被交叉区域和边界区域围绕。每一个像素部分都包括器件层、抗反射涂层、分立的反射结构、分立的金属阻挡结构、钝化层和滤色器。器件层设置在衬底上。沟槽形成在器件层和衬底中以分别对应于边界区域。抗反射涂层共形地覆盖器件层、衬底和沟槽。反射结构设置在沟槽中。在交叉区域中，金属阻挡结构位于抗反射涂层上面。钝化层共形地覆盖金属阻挡结构。滤色器设置在钝化层上。本发明还提供了CMOS图像传感器结构的制造方法。

主权项

一种CMOS图像传感器结构，包括：衬底；以及多个像素部分，设置为在所述衬底上彼此邻近，其中，每一个像素部分都包括多个交叉区域、多个边界区域和中心区域，每一个边界区域都位于多个交叉区域中的任两个相邻的交叉区域之间，并且所述中心区域被所述交叉区域和所述边界区域围绕，其中，所述每一个像素部分都包括：器件层，在所述衬底上设置在所述交叉区域、所述边界区域和所述中心区域中，其中，多个沟槽形成在所述器件层和所述衬底中以分别对应于所述边界区域；抗反射涂层，共形地覆盖所述器件层、所述衬底和所述沟槽；多个分立的反射结构，分别设置在所述沟槽中的抗反射涂层上；多个分立的金属阻挡结构，在所述交叉区域中分别位于所述抗反射涂层上面；钝化层，共形地覆盖所述金属阻挡结构、所述抗反射涂层和所述反射结构；和滤色器，在所述交叉区域、所述边界区域和所述中心区域中设置在所述钝化层上。