[发明专利]薄膜晶体管基板

摘要

公开了一种薄膜晶体管基板。该薄膜晶体管基板包括：第一薄膜晶体管，其包括多晶半导体层、与多晶半导体层交叠的第一栅极、在第一栅极上的氮化物层、在氮化物层上的氧化物层以及在所述氧化物层上的第一源极和第一漏极；以及第二薄膜晶体管，其包括设置在与第一栅极相同的层上的第二栅极、在第二栅极和氮化物层之间的氢收集层、在氧化物层上的氧化物半导体层、与氧化物半导体层的一侧接触的第二源极以及与氧化物半导体层的另一侧接触的第二漏极。

主权项

一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管包括多晶半导体层、与所述多晶半导体层交叠的第一栅极、在所述第一栅极上的氮化物层、在所述氮化物层上的氧化物层以及在所述氧化物层上的第一源极和第一漏极；以及第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管包括设置在与所述第一栅极相同的层上的第二栅极、在所述第二栅极和所述氮化物层之间的氢收集层、在所述氧化物层上的氧化物半导体层、与所述氧化物半导体层的一侧接触的第二源极以及与所述氧化物半导体层的另一侧接触的第二漏极，其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管被设置在同一基板上，并且其中，所述氮化物层包括使所述第二薄膜晶体管的所述氢收集层暴露的开口。