[发明专利]基于特氟龙材料缓冲层的新型宽带铌酸锂电光调制器在审
| 申请号： | 201610907785.X | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN107957629A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 李萍;范宝泉 | 申请（专利权）人： | 天津领芯科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司12107 | 代理人： | 张义 |
| 地址： | 300000 天津市北辰区北辰经济*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于特氟龙材料缓冲层的新型宽带铌酸锂电光调制器，自下而上依次包括基底材料、光学波导、缓冲层、电极结构，所述缓冲层采用厚度为0.1um至5um的特氟龙材料，所述光学波导采用钛扩散光学波导或退火质子交换光学波导，波导扩散宽度为1至20μm，扩散深度为1至20μm。本申请利用特氟龙材料的低介电常数特性，使铌酸锂宽带电光调制器的工作带宽得以进一步提高，提升了器件性能指标，并克服了当前铌酸锂脊型波导电光调制器存在的二氧化硅缓冲层需进行平坦化处理的工艺难点，降低了铌酸锂宽带电光调制器的加工难度和成本，提升了产品合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 特氟龙 材料 缓冲 新型 宽带 铌酸锂 电光 调制器 | ||
【主权项】：
一种基于特氟龙材料缓冲层的新型宽带铌酸锂电光调制器，其特征在于，自下而上依次包括：基底材料(1)、光学波导(2)、缓冲层(3)、电极结构(4)，所述缓冲层(3)采用厚度为0.1um至5um的特氟龙材料，所述光学波导(2)采用钛扩散光学波导或退火质子交换光学波导，波导扩散宽度为1至20μm，扩散深度为1至20μm；电极结构(4)采用厚度为0.1μm至30μm的金属薄膜制成的推挽型行波电极结构。
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