[发明专利]可改善电流崩塌效应的GaN HEMT有效
| 申请号： | 201610908528.8 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN106449746B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 王荣华 | 申请（专利权）人： | 大连芯冠科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人： | 闪红霞 |
| 地址： | 116023 辽宁省大连市高*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开一种可改善电流崩塌效应的GaN HEMT，有沟道层（3）及势垒层（4），在有源区内设有源电极（5）、漏电极（6）及栅电极（7），所述漏电极（6）的宽度为W，所述源电极（5）与栅电极（7）之间的间距为Ls，所述栅电极（7）与漏电极（6）之间的间距为Ld，其特征在于：在栅电极（7）与漏电极（6）之间的势垒层（4）上设有可阻挡部分栅电极电子通过施主能级向漏电极迁移的阻挡区（9），使800V下归一化后的动态导通电阻趋于1。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 电流 崩塌 效应 ganhemt | ||
【主权项】：
1.一种可改善电流崩塌效应的GaN HEMT，有沟道层（3）及势垒（4），在有源区（10）内设有源电极（5）、漏电极（6）及栅电极（7），所述漏电极（6）的宽度为W，所述源电极（5）与栅电极（7）之间的间距为Ls，所述栅电极（7）与漏电极（6）之间的间距为Ld，其特征在于：在栅电极（7）与漏电极（6）之间的势垒层（4）上设有可阻挡部分栅电极电子通过施主能级向漏电极迁移的阻挡区（9）；所述阻挡区（9）为n个，在宽度上沿栅电极（7）分布排列，所述阻挡区（9）与栅电极（7）之间的间距为a，n个阻挡区（9）的总宽度为b，阻挡区（9）的长度为c，当n = 1时：1/20 ≤ a/Ld ≤ 1/10，0.3 ≤ b/W ≤ 0.9，c/Ld ≤ 1/15；当n至少为2时：a = 0，0.3≤ b/W ≤ 0.9，c/Ld ≤ 1/15。
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