[发明专利]一种基于单电子晶体管的电离式气敏传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610910187.8 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN106383163B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 方靖岳;王飞;李欣幸;乔帅;张学骜;秦华;常胜利;秦石乔 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 魏国先 |
| 地址： | 410073 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种基于单电子晶体管的电离式气敏传感器及其制备方法，以阳极、阴极和库仑岛为气敏传感器的基本结构，阳极、阴极和库仑岛设置在硅基片表面形成的二氧化硅衬底上，库仑岛位于阳极和阴极之间，且库仑岛与阳极和阴极之间的距离是非对称的。本发明大大提高了电极间的电场强度，阳极和阴极更易于发生场发射，器件结构简单，加工工艺成熟易行，器件尺寸和功耗大大降低，探测灵敏度显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电子 晶体管 电离 式气敏 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于单电子晶体管的电离式气敏传感器，其特征在于：以阳极、阴极和库仑岛为气敏传感器的基本结构，阳极、阴极和库仑岛设置在硅基片表面形成的二氧化硅衬底上，库仑岛位于阳极和阴极之间，且库仑岛与阳极和阴极之间的距离是非对称的。
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