[发明专利]含Kerr缺陷余弦函数型光子晶体低阈值光双稳器件在审
| 申请号： | 201610910208.6 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN106444214A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王筠;刘丹;吉紫娟;靳海芹;李建明 | 申请（专利权）人： | 湖北第二师范学院 |
| 主分类号： | G02F3/02 | 分类号： | G02F3/02 |
| 代理公司： | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙)11548 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种含Kerr缺陷余弦函数型光子晶体低阈值光双稳器件，利用由两个余弦函数折射率介质层A、B交替组成的两个半有限光子晶体(BA)m和(AB)m与由Kerr非线性缺陷材料构成的中心层D相互耦合来实现低阈值光学双稳态。与常规光子晶体光双稳器相比较具有更低阈值和超小型的特点，可应用于光通信和集成光路的光开关、光存储等场合。中心层D为Kerr缺陷对称余弦函数型光子晶体低阈值光双稳器可实现与其他集成光路器件的耦合集成。 | ||
| 搜索关键词： | kerr 缺陷 余弦 函数 光子 晶体 阈值 光双稳 器件 | ||
【主权项】：
一种含Kerr缺陷函数型光子晶体的低阈值光双稳器件，其特征在于，该含Kerr缺陷函数型光子晶体是由Kerr非线性缺陷层D构成中心层、左右两侧由余弦函数折射率介质层A、B交替组成的两个半有限光子晶体(BA)m和(AB)m的对称周期结构(BA)mD(AB)m，其中m是周期数。
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