[发明专利]一种晶体硅片的刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅片的刻蚀方法，包括如下步骤：(1)将制绒、扩散后的晶体硅片的N面的杂质玻璃层去除；(2)将晶体硅片的N面进行氧化；(3)在上述二氧化硅氧化层上形成水膜；(4)刻蚀硅片边缘和P面，使P、N面绝缘；(5)水洗；(6)碱洗；(7)水洗；(8)酸洗；(9)水洗；风干。本发明在采用药液刻蚀之前采用了先去除PSG、再重新制备氧化层的工序，不仅可以将硅片表面的非有效磷氧化，而且还会将绒面尖峰区域与正常区域差异化，从而在碱洗时将尖峰区域平坦化，并在后续的酸洗中将氧化膜及连带的非活性磷去除，彻底去除硅片表面非活性磷的目的，降低表面复合，提升电池片的电性能，显然具有积极的现实意义。

主权项

1.一种晶体硅片的刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将制绒、扩散后的晶体硅片的N面的杂质玻璃层去除；(2)将晶体硅片的N面进行氧化，在硅片的N面形成二氧化硅氧化层，所述氧化层在绒面尖峰区域与正常区域差异化，绒面尖峰区域氧化层为疏松的氧化层；(3)在上述二氧化硅氧化层上形成水膜；(4)刻蚀硅片边缘和P面，使P、N面绝缘；(5)碱洗；碱液透过绒面尖峰区域疏松的氧化层与尖峰区域反应去除硅片N面的绒面尖峰；(6)水洗；(7)酸洗，将硅片N面的二氧化硅氧化层和连带的非活性杂质原子一起去除。