[发明专利]多端口存储器、半导体装置和存储器宏单元有效
| 申请号： | 201610911128.2 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN106611622B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 佐野聪明;长田俊哉;田中信二 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多端口存储器、半导体装置和存储器宏单元。该多端口存储器包括存储器单元、第一字线和第二字线、第一位线和第二位线、第一地址端子和第二地址端子、地址控制电路。地址控制电路在正常操作模式下基于分别供应到所述第一地址端子和所述第二地址端子的地址信号，将所述第一字线和所述第二字线独立于彼此进行控制，并且在干扰测试模式下基于供应到第一地址端子和第二地址端子中的一个来激活耦合到同一存储器单元的第一字线和第二字线二者。 | ||
| 搜索关键词： | 多端 存储器 半导体 装置 单元 | ||
【主权项】：
一种多端口存储器，包括：存储器单元；第一字线和第二字线；第一位线和第二位线；第一地址端子和第二地址端子；以及地址控制电路，其中，所述多端口存储器包括第一操作模式和第二操作模式，其中，所述第一字线被激活，由此所述存储器单元电耦合到所述第一位线，其中，所述第二字线被激活，由此所述存储器单元电耦合到所述第二位线，其中，在所述第一操作模式下，所述地址控制电路基于输入到所述第一地址端子的第一地址信号，执行关于是否激活所述第一字线的控制，并且基于输入到所述第二地址端子的第二地址信号，执行关于是否激活所述第二字线的控制，以及其中，在所述第二操作模式下，所述地址控制电路基于输入到所述第一地址端子的所述第一地址信号，执行关于是否激活所述第一字线和所述第二字线的控制。
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