[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法有效
| 申请号： | 201610911374.8 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN107968118B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应管及其形成方法，形成方法包括：在源漏掺杂区、侧墙以及栅极结构顶部上形成金属层；对所述金属层进行反应退火处理，使得位于所述源漏掺杂区上的金属层发生化学反应转化为金属接触层；在进行所述反应退火处理之后，去除未发生化学反应的金属层；在所述金属接触层、侧墙以及栅极结构上形成介质层，所述介质层顶部高于栅极结构顶部；刻蚀所述介质层形成贯穿所述介质层的通孔，且所述通孔暴露出部分金属接触层表面；形成填充满所述通孔的导电插塞。本发明形成的金属接触层位于源漏掺杂区整个表面，从而降低了形成的鳍式场效应管的接触电阻，改善了形成的鳍式场效应管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底以及凸出于所述衬底上的鳍部，所述衬底上还具有覆盖鳍部部分侧壁的隔离结构，且所述隔离结构顶部低于鳍部顶部；其中，所述隔离结构上还具有横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和侧壁，所述栅极结构侧壁上形成有侧墙，且所述栅极结构两侧的鳍部内形成有源漏掺杂区；在所述源漏掺杂区、侧墙以及栅极结构顶部上形成金属层；对所述金属层进行反应退火处理，使得位于所述源漏掺杂区上的金属层发生化学反应转化为金属接触层；在进行所述反应退火处理之后，去除未发生化学反应的金属层；在所述金属接触层、侧墙以及栅极结构上形成介质层，所述介质层顶部高于栅极结构顶部；刻蚀所述介质层形成贯穿所述介质层的通孔，且所述通孔暴露出部分金属接触层表面；形成填充满所述通孔的导电插塞。
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