[发明专利]芳香族聚合物绝缘材料的位移辐射损伤等效性评价方法有效
| 申请号： | 201610911383.7 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN106404810B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李兴冀;杨剑群;刘超铭;马国亮 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G01N23/18 | 分类号： | G01N23/18;G01N23/09 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 岳泉清 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 芳香族聚合物绝缘材料的位移辐射损伤等效性评价方法，涉及粒子辐射环境用芳香族聚合物绝缘材料不同辐照源位移辐照效应等效性的评价方法。解决了现有的辐射环境用芳香族聚合物材料空间辐照效应评价误差大的问题。首先计算各辐射源在待测材料样品中的位移辐射吸收剂量及射程；根据各辐射源在待测材料样品中的射程，确定待测材料样品厚度，使每种辐射源对应一块待测材料样品进行辐照试验，使各辐射源的辐照粒子完全穿透所对应的待测材料样品的厚度；辐照后，绘制各辐射源在辐照条件下的微观结构分析获得的各物理量与位移辐射吸收剂量的关系曲线，及性能测试获得的各物理量与位移辐射吸收剂量的关系曲线。本方法用于对芳香族聚合物绝缘材料进行评价。 | ||
| 搜索关键词： | 芳香族 聚合物 绝缘材料 位移 辐射损伤 等效 评价 方法 | ||
【主权项】：
1.芳香族聚合物绝缘材料的位移辐射损伤等效性评价方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤一、根据各辐射源的能量、待测材料样品的化学组分及密度，利用基于Monte Carlo方法的GEANT4模拟软件，计算各辐射源在待测材料样品中的位移辐射吸收剂量及射程；所述的各辐射源包括低能质子、中子及重离子辐射源，且低能质子的能量小于200keV；所述的待测材料样品为芳香族聚合物绝缘材料；步骤二、根据各辐射源在待测材料样品中的射程，确定待测材料样品的厚度，且以各辐射源在待测材料样品中的最小射程作为待测材料样品的厚度；步骤三、取四块待测材料样品，且每块待测材料样品的厚度均与步骤二中确定的待测材料样品的厚度相同，使每种辐射源对应一块待测材料样品进行辐照试验，使各辐射源的辐照粒子完全穿透所对应的待测材料样品的厚度；步骤四、辐照后，对各待测材料样品进行微观结构分析和性能测试；步骤五、根据步骤四获得的测试数据，绘制各辐射源在辐照条件下的微观结构分析获得的各物理量与位移辐射吸收剂量的关系曲线，及性能测试获得的各物理量与位移辐射吸收剂量的关系曲线，作为对芳香族聚合物绝缘材料的位移辐射损伤的等效性评价结果。
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