[发明专利]双极型器件电离和位移辐射损伤缺陷辨别方法有效
| 申请号： | 201610911408.3 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN106353344B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 李兴冀;刘超铭;杨剑群;马国亮 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G01N23/00 | 分类号： | G01N23/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 岳昕 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 双极型器件电离和位移辐射损伤缺陷辨别方法，属于双极型器件辐射损伤缺陷辨别技术领域。所述方法包括：利用深能级瞬态谱仪对双极型器件的敏感区进行测试，在测试过程中，通过单一改变反偏电压、填充电压、测试周期或脉冲宽度，获取温度扫描测试曲线，根据温度扫描测试曲线中的信号峰，确定该双极型器件为位移缺陷或电离缺陷。在电离辐射损伤条件下，针对器件的各个敏感区进行深能级瞬态谱仪DLTS测试，利用本发明的方法在DLTS测试过程中可准确辨别位移缺陷及电离缺陷，并能定量分析测试氧化物电荷和界面态，大大减少测量双极晶体管氧化物俘获正电荷与界面态的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 双极型 器件 电离 位移 辐射损伤 缺陷 辨别 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双极型器件电离和位移辐射损伤缺陷辨别方法，所述方法包括：利用深能级瞬态谱仪对双极型器件的敏感区进行测试，在测试过程中，通过单一改变填充电压、测试周期或脉冲宽度，获取温度扫描测试曲线，根据温度扫描测试曲线中的信号峰，确定该双极型器件为位移缺陷或电离缺陷；其特征在于，当单一改变填充电压，若获得的温度扫描测试曲线的信号峰的位置不随填充电压的变化而变化，则双极型器件为位移缺陷；若获得的温度扫描测试曲线的信号峰的位置随填充电压的变化逐渐增加或减小，则双极型器件为电离缺陷；当单一改变测试周期，若获得的温度扫描测试曲线的信号峰的高度不随测试周期的变化而变化，则双极型器件为位移缺陷；若获得的温度扫描测试曲线的信号峰的高度随测试周期的变化逐渐增加或减小，则双极型器件为电离缺陷；当单一改变脉冲宽度，若获得的温度扫描测试曲线的信号峰的高度不随脉冲宽度的变化而变化，则双极型器件为位移缺陷；若获得的温度扫描测试曲线的信号峰的高度随脉冲宽度的变化而改变，则双极型器件为电离缺陷。
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