[发明专利]模拟不同注量率中子辐照的试验方法有效
| 申请号： | 201610911409.8 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN106501284B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 李兴冀;杨剑群;刘超铭;马国亮 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G01N23/00 | 分类号： | G01N23/00;G01R31/00;G01R31/26;G06F17/50 |
| 代理公司： | 23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 岳昕<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙;23 |
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| 摘要： | 模拟不同注量率中子辐照的试验方法，涉及材料和器件的辐照试验。为了解决采用中子辐照产生的位移辐射损伤易形成位移缺陷，进而造成材料和器件性能退化的问题。所述方法为：选择重离子的类型和注量率，利用选择的重离子对材料和器件进行辐照，使所述材料和器件产生的位移损伤程度与待模拟注量率的中子辐照产生的位移损伤程度相同。选择的重离子的射程大于材料的厚度或器件有源区深度的2倍。在满足重离子加速器的要求的前提下，选择的重离子的注量率的范围为104～109ion/cm2·s，在所述范围内选择重离子的类型，使一个重离子产生的位移吸收剂量最小。本发明基于重离子辐照实现不同注量率中子辐照所产生的位移缺陷状态，原位检测性能退。 | ||
| 搜索关键词： | 模拟 不同 注量率 中子 辐照 试验 方法 | ||
【主权项】：
1.模拟不同注量率中子辐照的试验方法，其特征在于，所述方法为：/n步骤一：根据待模拟的中子能量En和注量率
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