[发明专利]一种基于降低氢元素含量的双极器件抗辐照加固方法在审
| 申请号： | 201610911436.5 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN106384716A | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 刘超铭;李兴冀;杨剑群;马国亮 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/328 | 分类号： | H01L21/328;H01L21/263;H01L21/30 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所23109 | 代理人： | 岳泉清 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种基于降低氢元素含量的双极器件抗辐照加固方法，涉及电子技术领域，具体涉及抗辐照双极器件。所述方法包括用于降低双极器件内部的氢含量的步骤。本发明在现有的双极器件制备工艺基础上，通过控制双极器件内部的氢含量，在相同的辐照剂量条件下，可大大降低双极器件的复合漏电流，降低双极器件的电流增益损伤程度，达到提高双极器件抗辐照能力的目的。本发明适用于抗辐照加固双极器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 降低 元素 含量 器件 辐照 加固 方法 | ||
【主权项】：
一种基于降低氢元素含量的双极器件抗辐照加固方法，其特征在于，包括用于降低双极器件内部的氢含量的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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